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| 规格书 |
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| 文档 |
Multiple Devices 05/Jun/2008 |
| Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 标准包装 | 500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 55V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 80A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 6.6 mOhm @ 68A, 10v |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 180µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 110nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 4540pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 250W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | P-TO220-3 |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-220AB |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 55 V |
| 最大连续漏极电流 | 80 A |
| RDS -于 | 6.6@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 16 ns |
| 典型上升时间 | 37 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 61 ns |
| 典型下降时间 | 36 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 80A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 180µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 55V |
| 供应商设备封装 | P-TO220-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 6.6 mOhm @ 68A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 250W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 4540pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 110nC @ 10V |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
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